Al_2O_3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响研究

作者：江丰; 沈鸿烈; 鲁林峰; 杨超; 罗军

来源：电子元件与材料, 2010, (12): 1-4.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2010.12.002

• AZO
• Al2O3过渡层
• 磁控溅射
• 电阻率
• 透射率 AZO
• Al2O3 buffer layer
• magnetron sputtering
• resistivity
• transmittance

采用磁控溅射法,在预先沉积了Al2O3过渡层的玻璃衬底上制备了性能优良的AZO薄膜。借助XRD、AFM、四探针仪和分光光度计对AZO薄膜的结构、表面形貌以及电学和光学性质进行了表征,并研究了Al2O3过渡层厚度对AZO薄膜性能的影响。结果表明:Al2O3过渡层的添加对AZO薄膜的表面形貌有一定影响;AZO薄膜的结晶质量随着过渡层厚度的增加先上升后下降;AZO薄膜的电阻率因过渡层的添加而明显降低,特别是在AZO薄膜较薄时;在添加了1～3 nm厚的过渡层后,160 nm厚的AZO薄膜的电阻率下降了44%左右;AZO薄膜的可见光透射率和光学带隙基本不受过渡层影响。

• 出版日期2010
• 单位南京航空航天大学