通过概述双向可控硅的换向机理,分析提高换向能力的几种技术,运用质量统计软件MINITAB的试验设计分析法(DOE)对双向可控硅芯片的版图设计方案进行归纳总结,确定五试验因子和二个试验水平表,进而确定试验计划.通过对16次工艺试验的结果分析,优选出较佳版图设计方案并获得连续变量因子的回归方程.优选结果表明:在确定芯片工艺方案的前提下,短路区采用正方形分布,并组合相应的换向隔离带设计可更好地实现产品的设计指标.
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