登录
免费注册
首页
论文
论文详情
赞
收藏
引用
分享
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
A novel HBT trigger SCR in 0.35 mu m SiGe BiCMOS technology
作者：Liao Changjun; Liu Jizhi; Liu Zhiwei
来源：
Chinese Journal of Semiconductors
, 2016, 37(9): UNSP 094004.
DOI：10.1088/1674-4926/37/9/094004
出版日期
2016-9
全文
全文
访问全文
相似论文
引用论文
参考文献
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
