碳化硅量子点制备及其活体细胞荧光成像

作者：孙祥鸣; 宋月鹏; 高东升; 李江涛; 陈义祥; 李永; 许令峰; 郭晶; 谭钺; 康田田

来源：农业工程学报, 2012, (24): 260-264.

• 碳化硅
• 荧光
• 荧光光谱
• 细胞
• 碳化硅量子点
• 荧光成像
• 化学腐蚀法
• 光致发光 silicon carbide
• fluorescence
• fluorescence spectroscopy
• cells
• silicon carbide quantum dots(QDs)
• fluorescent imaging
• chemical etching method
• photo luminescence(PL)

采用化学腐蚀法制备无细胞毒性的SiC量子点荧光材料,以硝酸及氢氟酸为腐蚀剂,通过超声分散及高速离心处理,获得碳化硅量子点水相溶液,对其微观组织、光学性能进行了检测,而后在出芽短梗霉菌(Aureobasidium pulluans)活体细胞上进行了荧光成像,结果表明,碳化硅量子点呈近球型,直径约为2.5nm,小于体材激子波尔直径(5.4nm),光致发光光谱证明了量子限制效应,激发光波长为320～360nm时,发射光强最大。激发光波长增加时,其Photo Luminescence(PL)峰发生红移,而当量子点直径减小时,会导致发射光蓝移。活体细胞荧光成像研究结果表明,该量子点无细胞毒性,对细胞生长...

• 出版日期2012
• 单位山东农业大学; 中国科学院理化技术研究所