6H-SiC(0001)衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究

作者：辛永松; 张百新; 戴宪起

来源：河南师范大学学报(自然科学版), 2007, (02): 66-68+72.

DOI：10.16366/j.cnki.1000-2367.2007.02.020

• 台阶
• 极性
• 6H-SiC
• GaN

用从头计算方法总能理论研究了6H-SiC(0001)(3×3)R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性.计算结果表明:GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构;6H-SiC(0001)衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配(SMBs),而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除.

• 出版日期2007
• 单位河南师范大学; 濮阳职业技术学院; 平顶山教育学院