采用磁控溅射法制备以AlN和Al2O3为不同过渡层的ZnO薄膜,研究不同过渡层对ZnO薄膜的结构、形貌及电学性能影响。结果表明,以AlN和Al2O3两种过渡层制备的ZnO薄膜依然呈C轴择优取向,而以AlN为过渡层的X射线衍射峰的2θ角更接近ZnO体材料的衍射峰位,且粗糙度更小,晶粒呈圆球密堆结构,膜面更光滑,结晶更致密。
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