一种交错并联型单相非隔离MOSFET并网逆变器

作者：胡建雨; 肖文勋^*

来源：电源学报, 2020, 18(05): 118-124.

DOI：10.13234/j.issn.2095-2805.2020.5.118

• 非隔离逆变器
• 交错并联
• 共模漏电流
• 单极性调制

为了提高光伏并网逆变器转换效率并解决漏电流问题,提出一种新型的交错并联型单相非隔离MOSFET并网逆变器。引入了交错并联技术,在不提高开关频率的情况下,可以使逆变器输出纹波电流减小,提高系统的功率密度。在续流阶段电流不流经体二极管,因此可以使用MOSFET,相比于绝缘栅双极型晶体管IGBT(insulated gate bipolar transistor)具有更低的开关损耗。采用单极性调制策略,电感纹波电流小,同时无桥臂直通问题。最后制作了一台2 kW的原型机,实验结果表明所提出的拓扑具有良好的漏电流抑制能力和较高的效率,验证了理论分析的正确性。

• 出版日期2020
• 单位华南理工大学