摘要

为了降低多晶硅表面的反射率,采用皮秒激光在多晶硅片表面制备阵列孔绒面。首先通过FDTD模拟了700nm入射光与孔的相互作用,得出优化的阵列孔距为30μm。然后进行单点打孔实验,分析激光各个参数对制绒深度的作用机理,并优选实验参数:激光功率为15W,脉冲频率为25k Hz,扫描速度为0.9m/s,扫描次数为2。利用优选参数验证了制绒孔距的变化对多晶硅片表面反射率的影响。并通过PC1D软件模拟出不同制绒硅片的开路电压和短路电流。实验结果表明,孔距为30μm时,多晶硅表面形成的孔最为紧密,形貌最好,其孔密度为1.17×105个/cm2,反射率降至6.95%,电池光电转化效率上升至18.45%。