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摘要
本发明公开了一种双光源激发光致发光检测半导体缺陷的装置,包括：第一激光光源、第二激光光源、半导体样品、第一透镜、第一分光片、第二分光片、反射镜、第一滤光片、第二滤光片、第二透镜、单色仪、光电探测器和计算机；第一激光光源激发半导体样品的光致发光；第二激光光源使半导体样品材料内的深能级缺陷电子态饱和；光电探测器最终探测单色仪出光口处光信号,得到双光源激发样品得到的光致发光光谱,对比单光源与双光源照射样品得到的发光光谱,确认半导体样品内的深能级缺陷是否是有效的载流子复合中心。本发明还公开了一种双光源激发光致发光检测半导体缺陷的检测方法。
- 出版日期2017-3-14
- 单位华东师范大学
