Hg_3In_2Te_6晶体欧姆接触及电学特性

作者：张小雷; 孙维国; 张亮; 张向锋; 丁嘉欣

来源：红外与激光工程, 2011, (04): 709-712.

• Hg3In2Te6
• 欧姆接触
• 传输线模型
• 接触电阻率
• 霍尔效应 Hg3In2Te6
• Ohmic contact
• transmission line model
• specific contact resistivity
• Hall effect

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸发技术在单晶Hg3In2Te6表面形成了In/Hg3In2Te6接触,运用传输线模型(TLC)对In/Hg3In2Te6欧姆接触特性进行了分析,结果表明:In/Hg3In2Te6形成了欧姆接触,接触电阻率为6.71×10-2Ω·cm2,粘附性好,电极质量理想,满足于欧姆电极性质的要求。并在此基础上对Hg3In2Te6材料的电学性能运用范德堡方法进行了测试,测试结果表明:Hg3In2Te6单晶在室温下的导电类型为n型,电阻率为6....

• 出版日期2011
• 单位中国空空导弹研究院