介绍了ULSI硅衬底的抛光工艺,并对其抛光机理进行了理论分析。通过对抛光液循环使用过程中CMP速率稳定性及其影响因素进行深入系统的分析,得出pH值、抛光温度和黏度等因素的变化是影响抛光速率稳定性的主要原因。并提出改进方案:控制好温度范围和流量的改变,以及循环中适当增加新的抛光液。为CMP速率稳定性的研究提供了有意义的借鉴。
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