纳米金属氧化物制备多晶Cu(In,Ga)Se_2薄膜反应过程及其性能研究

作者：郑春满; 韦永滔; 谢凯; 韩喻

来源：无机材料学报, 2013, (07): 701-706.

• 氧化物
• Cu(In
• Ga)Se2薄膜
• 光学性能
• 反应过程 oxide
• Cu(In
• Ga)Se2thin-film
• optical properties
• reaction process

以铜铟镓纳米金属氧化物为起始原料,采用化学还原+固体硒源后硒化的方法在不锈钢表面制备出多晶Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。采用场发射扫描电镜、高分辨透射电镜、能谱分析和X射线衍射等方法对制备过程中材料组成和结构的演变进行了研究,采用霍尔效应测试仪和吸收光谱分析等对多晶CIGS薄膜的性能进行了表征。研究结果表明,纳米金属氧化物主要含CuO、In2O3、Ga2O3和铜-铟、铜-镓二元合金氧化物等成分,在还原反应中逐渐转变成Cu11In9、Cu9In4等产物,同时薄膜中形成大量孔隙;硒化过程中,硒蒸气沿孔隙通道进入还原产物的晶格,反应生成CIS和CGS,从而形成具有黄铜矿结构的多晶CIGS...

• 出版日期2013
• 单位中国人民解放军国防科学技术大学