N+多晶硅栅薄膜全耗尽SOI CMOS器件与电路的研究

作者：连军海潮和韩郑生赵洪辰杨荣

来源：电子器件, 2004, (01): 69-71.

• SOI
• SIMOX
• 全耗尽
• CMOS SOI
• SIMOX
• fully-depleted
• CMOS

选用SIMOX(Separation by Implantation of Oxygen)衬底材料,对全耗尽SOI CMOS工艺进行了研究,并发出了N+多晶硅栅全耗尽SOI CMOS器件及电路工艺,获得了性能良好的器件和电路。nMOS和pMOS的驱动电流都比较大,且泄漏电流很小,在工作电压为3V时,1.2μm101级环振的单级延迟仅为50.5 ps。

• 出版日期2004
• 单位中国科学院微电子研究所