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摘要
以氯化镉(CdCl2·2.5H2O)、氯化铟(InCl3·4H2O)和硫代乙酰胺（TAA）为原料，利用水热法在FTO导电基底上制备CdIn2S4薄膜材料。利用X-射线粉末衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、紫外-可见漫反射光谱（UV-vis）等手段对所得薄膜的物相结构、表面形貌、成份及光吸收性能等进行表征。借助瞬态表面光电压（TSPV）技术探究CdIn2S4薄膜的光生载流子的分离、传输及复合过程。结果表明：制备的CdIn2S4薄膜结晶良好、表面均匀平整且具有良好的光吸收性能和光电响应。构建了以CdIn2S4和P3HT为吸收层、TiO2为电子传输层的异质结薄膜太阳能电池器件(FTO/TiO2/CdIn2S4/P3HT/Au)。目前其光电转化效率最高为0.022%，光电性能有待进一步提高。
- 出版日期2022-12-23
- 单位华北水利水电大学; 材料学院; 许昌学院
