新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备

作者：王启元谭利文王俊郁元桓林兰英

来源：功能材料与器件学报, 2003, (03): 300-304.

• 硅
• Al2O3
• SOI
• 外延生长 SOI
• heteroepitaxial growth
• Al2O3
• silicon

异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质SOI材料Si/γ-Al2O3/Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结...

• 出版日期2003
• 单位中国科学院半导体研究所