电沉积Cu(In,Ga)Se_2预置层硫化退火制备Cu(In,Ga)(Se,S)_2薄膜及表征

作者：赖延清; 匡三双; 刘芳洋; 张治安; 刘军; 李劼; 刘业翔

来源：Acta Physica Sinica, 2010, (02): 1196-1201.

• Cu(In
• Ga)(Se
• S)2
• Cu(In
• Ga)Se2
• 电沉积
• H2S退火 Cu(In
• Ga)(Se
• S)2
• Cu(In
• Ga)Se2
• electrodeposition
• H2S-anealling

在550℃下的H2S气氛中退火处理电沉积制备的Cu(In,Ga)Se2(CIGS)预置层,制备了太阳电池光吸收层Cu(In,Ga)(Se,S)2(CIGSS)薄膜.采用X射线能量色散谱、俄歇电子能谱、扫描电镜、X射线衍射和拉曼光谱对退火前后的薄膜进行表征.结果表明,H2S气氛下退火能够实现薄膜中O的去除和S的掺入,同时使得各元素的纵向分布更加均匀并可消除Cu-Se微相.此外,H2S退火还可改善薄膜的结晶性能,并使S和Ga进入黄铜矿结构,薄膜晶格参数变小.

• 出版日期2010
• 单位中南大学