Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析

作者：蒋葳; 刘云飞; 尹海洲

来源：微电子学, 2014, (02): 245-248+201.

• 镍硅化物
• 肖特基接触
• 势垒高度
• 界面态 Nickel silicide
• Schottky contact
• Barrier height
• Interface state

随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。

• 出版日期2014
• 单位中国科学院微电子研究所