在传统IGBT结构中引入超级结结构,可缓解击穿电压与导通电阻之间的矛盾,有效减小器件体积,其中,横向参数对器件击穿特性影响很大,为研究此类横向参数对超级结IGBT击穿特性的影响,通过Silvaco软件对超级结IGBT的击穿特性进行仿真。仿真结果表明,漂移区宽度、浓度的变化改变了超级结IGBT漂移区内二维电场分布,从而影响了器件的击穿电压。在此基础上对超级结IGBT横向参数进行优化,综合考虑横向参数对超级结IGBT击穿电压的影响,使器件的性能达到最优。
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