科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
以沟槽负斜坡终端(Trench and Slope Termination,TST)结构为研究对象,分析了该结构提高终端表面耐压的原理,利用TCAD软件对该结构进行电性能仿真研究,注意到击穿机制在不同沟槽深度下有所不同。针对两种击穿机制,进行负斜坡倾角优化;最后,从生产角度对TST终端进行优化,以提高其工艺容差。仿真结果表明,经过优化设计的600VTST终端结构,其宽度为127μm,仅为相同耐压水平的场限环场板复合结构终端的50%。提出的设计方法可广泛应用于高压VDMOS的终端设计。
- 出版日期2014
- 单位西南交通大学
