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摘要
本发明公开了具有金属氧化物/二氧化硅叠栅的GaN基MOS‐HEMT器件及其制备方法；该器件包括AlGaN/GaN异质结外延层、第一栅介质层、第二栅介质层、栅电极和源漏电极；第一栅介质层为覆盖在AlGaN/GaN异质结外延层上的SiO-2薄膜,第一栅介质层的厚度为5‐15nm；第二栅介质层为覆盖在第一栅介质层上的金属氧化物薄膜,第二栅介质层的厚度为5‐15nm；本发明采用金属氧化物/SiO-2的叠层介质结构,减小了磁控溅射沉积高介电常数氧化物介质对外延的损伤,使其适用于GaN基HEMT器件的制备；同时弥补了SiO-2介电常数低的缺陷,使器件整体栅极控制能力提高且有效降低了栅极漏电。
- 出版日期2018-7-17
- 单位中山市华南理工大学现代产业技术研究院
