本发明公开了一种碳化硅陶瓷的放电等离子扩散连接方法,其中连接层材料主要由ZrB2和SiC两相组成。复相陶瓷连接层的制备和SiC陶瓷接头的扩散连接同时完成,连接层由ZrH2、B4C及Si粉在高温下原位反应形成,原料配比按质量百分比构成为：B4C 20-25％,Si 10-15％,余量为ZrH2。连接层由ZrB2和SiC组成的复相陶瓷构成,具有与SiC陶瓷相近的热物理性能和力学性能,从而实现了良好的界面结合,避免了接头裂纹的形成,提高了接头强度。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
