4H-SiC肖特基二极管α探测器研究

作者：陈雨; 范晓强; 蒋勇; 吴健; 白立新; 柏松; 陈刚; 李理

来源：核电子学与探测技术, 2013, (01): 57-61.

• α探测器
• 肖特基二极管
• 4H-SiC alpha-particle detector
• Schottky diode
• 4H-SiC

碳化硅(SiC)是一种具有优良物理性能的宽禁带半导体材料,可作为探测器的优良探测介质。用241Am源5.486 MeV的α粒子研究4H-SiC肖特基二极管α探测器的能量分辨率和信号相对上升时间等特性。在真空室中,使SiC探测器暴露在α粒子下,SiC探测器输出良好的响应信号。SiC二极管对5.486 MeVα粒子的能量分辨率最佳可达3.4%;经前置放大器FH1047输出和示波器观测,脉冲幅度随偏压增加而稳定在(35.39±0.21)mV;脉冲上升时间随偏压增加而稳定在(137.87±9.44)ns。4H-SiC肖特基二极管对α粒子响应良好,可用于α粒子强度测量。结合SiC耐辐照、耐高温等特性,进...

• 出版日期2013
• 单位中国工程物理研究院; 中国工程物理研究院核物理与化学研究所; 四川大学