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摘要
本发明提出了一种具有深漏区的横向双扩散金属氧化物复合半导体场效应管(LDMOS)及其制作方法。该LDMOS器件的主要是将碳化硅材料与硅材料结合,在碳化硅衬底上通过异质外延技术或键合技术形成硅外延层,并采用深漏区结构,漏区的下端深入碳化硅衬底。由于碳化硅是宽禁带半导体具有较高的临界击穿电场,深漏区结构可将漏区的高电场峰值引入碳化硅中,优化器件的纵向电场分布,最终使击穿发生在漏区硅/碳化硅界面附近,从而提高器件的击穿电压,改善了体硅LDMOS器件中击穿电压与比导通电阻的极限关系。此外,与硅材料相比碳化硅材料具有较高的热导率,以其为衬底有助于器件散热,可用于制作在高温条件下工作的功率器件。
- 出版日期2018-4-11
- 单位西安电子科技大学
