用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜 ,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模 .离子注入的能量为 4 0 0keV的As+ 离子 ,注入剂量为 1 0 1 6 cm2 ,然后在 6 0 0℃下退火 2 0min .当抽运功率为 5W时 ,脉冲平均输出功率为 2 0 0mW ,调Q包络重复频率为 5 0kHz ,半高宽为 4 μs,锁模脉冲重复频率为 1 5MHz .
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