K/Ce离子共掺对Na_(0.5)Bi_(2.5)Ta_2O_9陶瓷的结构与电学性能影响

作者：许经东; 江向平^*; 陈超; 黄枭坤; 聂鑫; 黄立伟

来源：硅酸盐学报, 2021, 49(04): 639-647.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.20200506

• 铋层状
• 高温压电陶瓷
• 电学性能

采用传统固相法制备(Na Bi)0.5-x(KCe)xBi2Ta2O9(NBTO-x,0≤x≤0.15)无铅压电陶瓷,研究K/Ce离子含量对NBTO陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明:所有陶瓷样品均生成了m=2的铋层状结构化合物,且未发现其他明显杂峰;随着K/Ce离子含量的增加,样品的Curie温度TC逐渐降低;K/Ce离子掺杂提高了样品的压电性能,压电常数d33随掺杂量提高呈现出先升高后降低趋势,当x=0.075时,样品的综合性能达到最佳:d33=19.0 p C/N,Curie温度TC=735℃,介电损耗tanδ=0.137%,体积密度r=9.113 g·cm-3;NBTO (x=0.075)陶瓷在600℃退火2 h,其d33仍高达17.8 p C/N,约为初始值(d33=19.0 p C/N)的93.7%,表现出良好的温度稳定性。

• 出版日期2021
• 单位景德镇陶瓷大学; 江西省先进陶瓷材料重点实验室