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摘要
在纳米工艺下,老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要,目前,考虑多个因素分析老化效应对软差错率影响的工作相对较少.作为一种典型的老化效应,偏置温度不稳定性(bias temperature instability,BTI)效应包括发生在PMOS中的负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)和发生在NMOS中的正偏置温度不稳定性(positive bias temperature instability,PBTI),现有工作多聚焦在单个因素在NBTI下的影响.在BTI作用下门延迟对软差错率(soft error rate,SER)的影响研究工作的基础上,进一步研究了单粒子瞬态(single event transient,SET)故障脉冲宽度和关键电荷对SER的影响.首先通过考虑PBTI,完善了在BTI作用下基于32nm工艺SET脉宽的变化模型;然后分别研究了如何在SER的计算中考虑SET脉宽和关键电荷的影响,提出了SET脉宽变化可以反映在模拟注入电荷量的变化上的结论.通过HSPICE仿真验证和C++实验表明:3个因素中延迟和SET脉宽对SER影响较小,受BTI应力影响SER将增大,应力作用初期影响最为明显,之后影响将变缓.
