T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管及制备方法

作者：刘红侠; 韩涛; 李伟; 王树龙; 陈树鹏

来源：2018-07-27, 中国, CN201810845184.X.

本发明公开一种T型栅Ge/SiGe异质结隧穿场效应晶体管。其包括：P#衬底(1)、第一N+型夹层(2)、第一P+型源区(3)、栅氧化层介质(6)、栅区(7)和漏区(8),第一N+型夹层和第一P+型源区位于P#衬底左侧,栅氧化层介质位于第一N+型夹层右侧,栅区位于栅氧化层介质上面,漏区位于P#衬底的底部,P#衬底右侧设有第二P+型源区(5)和第二N+型夹层(4),第一N+型夹层(2)和第二N+型夹层(4)采用SiGe材料,第一P+型源区(3)和第二P+型源区(5)采用Ge材料,以在“T”型栅区左、右两侧形成双源和异质结。本发明提高了晶体管开态电流,降低了亚阈值摆幅,可用于低功耗集成电路器件。

• 出版日期2018-7-27
• 单位西安电子科技大学