n型纳米非对称DG-TFET阈值电压特性研究

作者：李妤晨; 沈路; 张鹤鸣; 刘树林

来源：半导体技术, 2015, 40(08): 585-591.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2015.08.006

• 双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)
• 带带隧穿
• 亚阈值摆幅
• 阈值电压
• 纳米非对称结构

n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与常规MOSFET不同。在深入研究n型纳米非对称DG-TFET的阈值特性基础上,通过求解器件不同区域电场、电势的方法,建立了n型纳米非对称DG-TFET器件阈值电压数值模型,探讨了器件材料物理参数以及漏源电压对阈值电压的影响,通过与Silvaco Atlas的仿真结果比较,验证了模型的正确性。研究表明,n型纳米非对称DG-TFET的阈值电压分别随着栅介质层介电常数的增加、硅层厚度的减薄以及源漏电压的减小而减小,而栅长对其阈值电压的影响有限。该研究对纳米非对称DG-TFET的设计、仿真及制造有一定的参考价值。

• 出版日期2015
• 单位中国电子科技集团公司第十三研究所; 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 西安电子科技大学; 西安科技大学