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摘要
本发明涉及一种具有支撑结构的T型栅及其制备方法和半导体功率器件,该具有支撑结构的T型栅,生长在具有钝化层的半导体基片上,包括栅帽、栅脚和若干栅支柱,其中,栅帽位于半导体基片的上方；栅脚的一端与栅帽的底面中部连接,另一端穿过钝化层生长在半导体基片上；若干栅支柱沿栅宽方向间隔设置在栅帽底部的两侧,且栅支柱的底部与钝化层连接。本发明的具有支撑结构的T型栅,在栅帽两侧沿栅宽方向相间隔设置有栅支柱,在提高栅脚的高度的同时不增加钝化层厚度,不影响寄生电容,提高了器件在高频下的性能。
- 出版日期2020-12-21
- 单位西安电子科技大学
