HfOxNy的场发射特性

作者：段辉高; 谢二庆; 叶凡; 蒋然; 王晓明

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, 2006, 27(z1)(2006, 27(z1)).

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.053

• HfOxNy
• 场发射
• 高压"锻炼"

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.

• 出版日期2007
• 单位兰州大学