摘要
本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体深能级的等效电路模型,计算机拟合结果与实验数据基本相符.
- 出版日期1998
- 单位中国科学院上海硅酸盐研究所
本文用导纳谱法测得低温一次烧结SrTiO3晶界层电容器材料的体深能级位于导带底下0.21eV处.提出了SrTiO3顺电行为和体深能级综合效应对材料介电性质的作用,解释了材料ε~T曲线上的异常“凸起”和显著的介电频散现象.根据给出的合体深能级的等效电路模型,计算机拟合结果与实验数据基本相符.