本发明公开了一种阴离子化合物插层g‑C3N4复合膜的制备方法及其应用，首先通过热聚合方法得到体相g‑C3N4；再经过物理剥离得到g‑C3N4纳米片分散液；最后将阴离子化合物和g‑C3N4纳米片分散液混合沉积在多孔基底膜上，即得到阴离子化合物插层g‑C3N4复合膜。与现有的技术相比，本发明制备的阴离子化合物插层g‑C3N4复合膜有更高的水通量以及更优异的选择性。
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