采用湿法腐蚀工艺,使用熔融态KOH和NaOH作为腐蚀剂,对一种物理气相传输（PVT）自发形核新工艺在21002250℃条件下生长的AlN单晶进行了腐蚀实验。通过实验及扫描电子显微镜（SEM）结果分析,得到了典型的AlN单晶c面、r系列面及m面最佳的腐蚀工艺参数及腐蚀形貌。另外,基于腐蚀形貌分析,发现了采用该自发形核新工艺生长的AlN晶体某些独特习性并计算出Al N单晶腐蚀坑密度（EPD）。
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