第一性计算锑化镓中的缺陷态

作者：周一帆; 侯群; 彭馨; 张龙

来源：江汉大学学报(自然科学版), 2015, 43(03): 226-228.

DOI：10.16389/j.cnki.cn42-1737/n.2015.03.006

• 第一性计算
• 锑化镓
• 缺陷态
• 形成能

基于密度函数理论和广义梯度近似原理,计算了锑化镓(Ga Sb)体结构中的不同缺陷的形成能。计算结果表明,无论是在Ga-rich晶体条件下还是Sb-rich晶体条件下,主要的缺陷都是空位缺陷VGa和反应缺陷GaSb,这解释了Ga Sb在不同生长条件下总是P型半导体的原因。

• 出版日期2015