超厚层4H-SiC同质外延材料

作者：李赟; 李忠辉; 赵志飞; 王翼; 周平

来源：固体电子学研究与进展, 2019, 39(02): 155.

DOI：10.19623/j.cnki.rpsse.2019.02.016

<正>缺陷控制是4H-SiC同质外延的关键技术。在所有的4H-SiC外延缺陷中,三角形缺陷对芯片性能的影响最为致命,而且三角形缺陷的尺寸随着4H-SiC外延层厚度的增加迅速增大,从而会导致外延片无缺陷面积急剧下降。因此对于厚层4H-SiC外延,控制三角形缺陷密度至关重要。南京电子器件研究所追踪衬底/外延层界面处的缺陷转化信息,分析了三角形缺陷的主要成因,并通过优化衬底刻蚀时间及温度,有效消除由于衬底表面加工损伤引入的三角形成核几率,利用富硅气氛有效降低衬底中螺位错引入的三角形成核几率,提出复合缓冲层技术,有效抑制三角形缺陷扩展。基于

• 出版日期2019