Ac掺杂β-FeSi_2光电性质的第一性原理研究

作者：张春红; 张忠政; 闫万珺; 周士芸; 桂放; 郭本华

来源：光学学报, 2014, (11): 253-258.

• 材料
• β-FeSi2
• 电子结构
• 光学性质
• 掺杂
• 第一性原理 materials
• β-FeSi2
• electronic structure
• optical property
• doping
• first principle

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理赝势平面波方法,对锕(Ac)掺杂β-FeSi2的几何结构,电子结构和光学性质进行了计算与分析。几何结构的计算表明:Ac掺杂后β-FeSi2晶格常数a、b及c都有所变化,晶胞体积增大。电子结构的计算表明:Ac掺入后导致费米面进入导带,能带结构仍为准直接带隙,但是带隙明显变窄;费米能级附近,总电子态密度主要由Fe的3d层和Si的3p层电子态密度决定,Ac的6d层电子态密度贡献很小。光学性质的计算表明:静态介电常数ε1(0)明显提高,介电函数的虚部ε2的峰值向低能方向移动并且减弱,折射率n0明显提高,消光系数k向低能方向有一微小的偏移,吸收峰增强,平均反射...

• 出版日期2014
• 单位安顺学院