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一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法

李国强; 万利军; 孙佩椰; 阙显沣; 姚书南
华南理工大学
华南理工大学

摘要

本发明公开了一种退火掺杂实现常关型HEMT器件的方法。该方法为:在真空气氛下,采用激光扫描镁栅条,通过激光实现镁栅条在AlGaN材料中的热掺杂,实现常关型HEMT器件性能;本发明所实现的掺杂时间短,掺杂浓度及深度间接可控,而且对沟道二维电子气的影响小。本发明是一种快速的掺杂来实现常关型HEMT器件的方法,对于实现高性能的常关型HEMT器件有重要意义。

关键词

-

出版信息

专利状态
其他(授权以外的其他状态)
专利国别
CHINA
申请日期
2019-12-6
申请号
CN201911238442.9

学科领域

材料科学与工程物理学

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