摘要

通过控制直流磁控溅射时间在15~3 600 s之间制备出系列不同厚度的Sn薄膜负极,研究了沉积时间变化对首周不可逆容量损失的影响。当Sn薄膜沉积时间为15 s时,首周放电容量远远大于理论容量,其中首周充放电不可逆容量损失占首周放电容量的56%以上,1.5 V至锡锂合金化反应电位0.67 V之间出现的SEI膜是造成该不可逆容量的主要原因。随着薄膜沉积时间增加,首周容量损失呈现非单调变化趋势。当沉积时间低于600 s时,首周容量损失与SEI膜容量变化趋势基本一致;当沉积时间长于600 s时,首周容量损失单调递增,而SEI膜容量单调下降,说明SEI膜的形成不再是首周容量损失的主要原因。应用X射线衍射...

  • 出版日期2013
  • 单位电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学