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High-ohmic resistors fabricated by PureB layer for silicon drift detectors applications (vol 105, pg 6, 2015)
作者：Golshani Negin
*
; Derakhshandeh Jaber; Beenakker C I M; Ishihara R
来源：
Solid-State Electronics
, 2016, 119: 50-50.
DOI：10.1016/j.sse.2016.01.011
出版日期
2016-5
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