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摘要
本文简述了使用DY-3型电子束扫描曝光机制作掩模版的工艺过程及如何选择适宜的工艺参数。对CMS-EX、IPS—P(MMA-MAA)三种电子抗蚀剂的特性参数如灵敏度、分辨率、抗蚀性等进行了测试。指出湿法和干法刻蚀而获得的铬图形具有不同的边缘陡度。最好的边缘陡度是由氧等离子体打底膜后再用CCl_4+O_2等离子刻蚀而获得的。目前我们已使用该机做出了最细线宽为0.6μ的铬图形。
- 出版日期1988
- 单位中国科学院电工研究所
本文简述了使用DY-3型电子束扫描曝光机制作掩模版的工艺过程及如何选择适宜的工艺参数。对CMS-EX、IPS—P(MMA-MAA)三种电子抗蚀剂的特性参数如灵敏度、分辨率、抗蚀性等进行了测试。指出湿法和干法刻蚀而获得的铬图形具有不同的边缘陡度。最好的边缘陡度是由氧等离子体打底膜后再用CCl_4+O_2等离子刻蚀而获得的。目前我们已使用该机做出了最细线宽为0.6μ的铬图形。
